Элементарные чрезвычайно низкотемпературные сверхпроводники можно понимать так: идеальная решетка должна находиться при абсолютном нуле, чтобы достичь нуля колебаний решетки. Потому что это не"идеальный", колебание решетки достигается при более высокой температуре выше абсолютного нуля. Чтобы выяснить причины, первое, что приходит на ум, это то, что существуютдефекты кристаллаи дефекты слоев в такого рода элементарных кристаллах. Поскольку в этом металлическом кристалле больше нет других, более мощных состояний решетки, так что влияние этого кристаллического дефекта и плоского дефекта на решетку проявляется в полной мере.
Помимо различных типов точечных дефектов, существует два основных типа дефектов кристалла: один дефект и дефект слоя. Это также одна из важных областей исследований металлографии и кристаллографии в наше время. Дислокацию можно разделить на краевую и винтовую. Независимо от типа дислокации, она оказывает важное влияние на физические свойствакристаллические материалы.
1. Краевая дислокация См. рисунок.
Имеется темный символ смещения края."⊥"в средней области, которая является положением краевой дислокации, вертикальной плоскостью линии дислокации, вертикальной линией направления скольжения атомной плоскости (или кристаллической плоскости). Круглая синяя область указывает диапазон влияния дислокационного напряжения, то есть диапазон искажения решетки. Вдалеке решетка возвращается в нормальное состояние. Атомный лист (двумерная решетка) на линии дислокации подобен лезвию ножа, и грань кристалла внезапно разрушается.
2. Схема винтовой дислокации.
Линия — это расположение линии дислокации, а плоскость скольжения, окрашенная в красный цвет, — это плоскость дислокации. Направление скольжения параллельно направлению линии дислокации. Если смотреть в направлении линии дислокации, то спиральная дислокация эквивалентнахрустальное лицоподнимаясь вокруг оси на расстоянии решетки. Непрерывное искажение решетки вблизи линии дислокации приводит к микроскопическому напряжению. Чуть позже оно восстановится. Два типа дислокаций обладают свойствами перемещения, рекомбинации, закрепления и агрегации с образованием небольших угловых границ зерен.