Рентгеновская дифракция, черезДифракция рентгеновского излученияматериала, анализ его дифракционной картины, для получения состава материала, структуры или формы атомов или молекул внутри материала и другие средства исследования. Благодаря преимуществам самого источника света синхротронного излучения с высоким потоком фотонов и более высокой коллимацией часто получаются все более и более сильные дифракционные сигналы, что дает больше возможностей для последующего анализа данных.

Технологическое преимущество:

1. рентгеноструктурный анализ на месте может получить информацию о структурных изменениях в процессе реакции материала в режиме реального времени, что позволяет глубоко понять реакцию материала в процессе зарядки и разрядки, а также имеет большое значение для улучшения материала; Не на местерентгеноструктурный анализиспытание часто не дает хорошего возврата к реальному состоянию, кроме того, если состояние испытуемого материала чувствительно к воздуху, то материал необходимо поместить в испытание на устройство изоляции воздуха, чтобы отразить истинное состояние материала.

2. рентгеноструктурный анализ-тест на месте позволяет получить много сопоставимой информации за короткое время, поскольку весь процесс испытания на месте происходит в одном и том же месте.испытание материала, поэтому полученная информация (будь то параметры ячейки, пиковая мощность или другие параметры) относительно сопоставима.

Однако информация, полученная с помощью рентгеноструктурного анализа, полученного не на месте, относительно плохо сопоставима и требует более тщательного использования в процессе испытаний. Например, если электродный лист после разборки и промывки находится в сложенном состоянии, уровень тестируемого материала изменится, вершина измеренного рентгеноструктурного анализа сместится, а также изменятся соответствующие параметры ячейки, полученные при рафинировании. Однако качество и распределение активных материалов в разных электродных пластинах неизбежно различны, что неизбежно приводит к плохой сопоставимости пиковой прочности при разных состояниях зарядки и разрядки.