



Электронная почта
firefly@tongdatek.comТелефон
+86-415-6123805В качестве средства характеристики кристаллической структуры и правил ее изменения рентгеноструктурный анализ широко используется во многих областях, таких как материалы, химия, керамика, металлургия и минералы.
Электронная почтаБолее

К основным показателям полимерных материалов относятся тип полимера или его кристалличность. Полимеры также имеют различную микроструктуру, которая также может влиять на механические свойства полимерных материалов.
Электронная почтаБолее
Важным показателем рентгеноструктурный анализ является наличие очень хорошего источника рентгеновского излучения. Так называемый хороший источник рентгеновского света обычно подразумевает высокую интенсивность, высокую параллельность и высокую чистоту. В этой статье будет представлена одна из основных технологий неоконфуцианства — оптический путь CBO.
Электронная почтаБолее
Технология рентгеновской дифракции широко используется при исследовании литий-ионных аккумуляторов. рентгеноструктурный анализ — это традиционный метод качественного и количественного анализа фаз в материалах.
Электронная почтаБолее
рентгеноструктурный анализ может измерять сыпучие и порошкообразные образцы и предъявляет разные требования к образцам разных размеров и свойств.
Электронная почтаБолее
Глобальный рентгеновский дифрактометр (рентгеноструктурный анализ) стабильно развивался в последние годы, и Китай является рынком с большими перспективами развития.
Электронная почтаБолее
На примере масштабирования осаждения в этой статье рассказывается, как использовать рентгеновский дифрактометр для качественного фазового и количественного анализа.
Электронная почтаБолее
Применение новых технологий и новых продуктов, таких как 5G, большие данные и искусственный интеллект, создаст огромный спрос на рынке полупроводников, а глобальные расходы на полупроводниковое оборудование вступили в цикл роста.
Электронная почтаБолее
Рентгенография высокого разрешения (HR-рентгеноструктурный анализ) — это распространенный метод измерения состава и толщины сложных полупроводников, таких как СиГе, AlGaAs, InGaAs и т. д.
Электронная почтаБолее