news

При использовании графитовых материалов в качестве материалов отрицательных электродов литиевых аккумуляторов одним из необходимых условий является степень графитизации.

В 1912 году Лауэ и др. предсказанное теорией и подтвержденное экспериментом, что дифракция может произойти, когда рентгеновские лучи встречаются с кристаллом, доказав, что рентгеновские лучи обладают свойством электромагнитной волны, что стало первой вехой в дифракции рентгеновских лучей.

XAFS, как передовой метод определения характеристик для анализа локальной структуры материалов, может предоставить более точную информацию о координации атомной структуры в ближнем структурном диапазоне, чем рентгеновская дифракция кристаллов.

Рентгеновская дифракция — широко используемый неразрушающий аналитический метод, с помощью которого можно выявить кристаллическую структуру, химический состав и физические свойства веществ.

Рентгеновская дифракция, посредством дифракции рентгеновских лучей материала, анализа его дифракционной картины для получения состава материала, структуры или формы атомов или молекул внутри материала и других средств исследования.

Рентгеновская дифракция проходит через каждый этап контроля качества лекарственных средств, например, исследование сырья и препаратов.

Остаточные напряжения оказывают большое влияние на стабильность размеров, устойчивость к коррозии под напряжением, усталостную прочность, фазовый переход и другие свойства материалов и компонентов. Его измерение вызвало широкую озабоченность в научных кругах и промышленности.

Недавно новое исследование успешно сплавило оксиды металлов с цеолитом А и раскрыло тайну этого процесса с помощью технологий рентгеноструктурный анализ и FTIR.

рентгеноструктурный анализ — это сокращение от «дифракция рентгеновских лучей», поскольку для материального человека, независимо от того, какой материал сделан, рентгеноструктурный анализ является наиболее часто используемым, самым основным средством определения характеристик.

Когда пучок чрезвычайно тонких рентгеновских лучей проходит через материал с неравномерной электронной плотностью нанометрового размера, рентгеновские лучи распространяются в небольшой угловой области вблизи направления исходного луча, это явление называется малоугловым X. -рассеяние лучей.